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Krait架构28纳米工艺 高通S4强机盘点 |
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Krait架构28纳米工艺 高通S4强机盘点 |
摘要: 去年被称为手机市场的“双核年”,而今年,硬件大战再度升级,四核手机已经迅速占领了市场的主流地位,对智能手机来说,硬件的性能已经严重过剩,而由此引发的功耗问题则越发严重。 |
1.5GHz主频MSM8260A双核 HTC One S
HTC One S机身非常纤薄,做工也很精致,拿在手里有种实实在在的感觉,当然,该机最大的特点还是其采用了全新的高通S4双核处理器,手机性能大幅提升的同时,有效的控制了功耗。整机配置相当不错。
 HTC One S正面图片
HTC One S机身正面为一块4.3英寸Super AMOLED材质显示屏,分辨率为960×540像素,显示效果十分细腻。同时康宁玻璃的外保护屏也使该机的屏幕异常的耐磨。手机背部内置了一枚800万像素摄像头,拍照效果非常清晰。值得一提的是,该机还使用了金属陶瓷制造工艺,大量金属元素的加入让它有着很好的握持手感。另外,7.8毫米的机身也让它看上去更加纤薄。
 HTC One S背面图片
其他方面,HTC One S搭载了一颗1.5GHz高通MSM8260A双核处理器,全新的架构和更为先进的工艺制程使得该机拥有极为强劲的性能,系统方面则采用了最新Android 4.0系统,和最新Sense 4.0 UI界面十分绚丽,并且用户体验相当出色。
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